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STH310S

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STH310S 技術(shù)參數(shù)
  • STH310N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)變型 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH310N10F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH300NH02L-6 功能描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):109nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7050pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH290N4F6-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 歐姆 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7380pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH290N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 歐姆 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7380pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH410N4F7-6AG STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G STH71W STH72B STH72G STH72W STH80N10F7-2 STHAFC36P0701901000 STHAFC36P0701902000
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