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STI3240CV-X-XXC-J338AEX

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    STI3240CV-X-XXC-J338AEX

    STI3240CV-X-XXC-J338AEX

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • QFP

  • 94

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
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STI3240CV-X-XXC-J338AEX 技術(shù)參數(shù)
  • STI30N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:139 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 100V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI300N4F6 功能描述:MOSFET N CH 40V 160A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1440pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 11A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK（TO-262） 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STI270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:160A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI45N10F7 STI4N62K3 STI55NF03L STI57N65M5 STI5N52U STI6N62K3 STI6N80K5 STI6N90K5 STI76NF75 STI8N65M5 STI90N4F3 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA
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