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STL9030

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  • STL9030
    STL9030

    STL9030

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人:韓小姐

    電話:13661385246

    地址:北京市海淀區(qū)知春路118號知春大廈B座1504室,新中發(fā)電子市場B1303-b1305柜臺(tái)

  • 1

  • ST

  • QFP

  • 0543+

  • -
  • 售價(jià)¥20

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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STL9030 技術(shù)參數(shù)
  • STL8P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):20.5 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22.5 毫歐 @ 4A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):965pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL8N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 9.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1340pF @ 25V 功率 - 最大值:55W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STLA01PUR STLA02PUR STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR STLC60845 STLC7550TQF7 STLC7550TQF7TR STLD125N4F6AG STLD128DNT4 STLD200N4F6AG STLD20CP1PQR STLD20D-C8
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