您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > S字母型號搜索 >

STP160N75F3-H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
STP160N75F3-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STP160N75F3-H 技術(shù)參數(shù)
  • STP160N75F3 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6750pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP160N4LF6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.9 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):181nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP160N3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP15NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):983pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP15NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):299 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP16C596MTR STP16C596TTR STP16C596XTTR STP16CL596B1R STP16CL596M STP16CL596MTR STP16CL596TTR STP16CL596XTTR STP16CP05B1R STP16CP05MTR STP16CP05PTR STP16CP05TTR STP16CP05XTTR STP16CP596B1R STP16CP596M STP16CP596MTR STP16CP596TTR STP16CP596XTTR
配單專家

在采購STP160N75F3-H進(jìn)貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買STP160N75F3-H產(chǎn)品風(fēng)險,建議您在購買STP160N75F3-H相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的STP160N75F3-H信息由會員自行提供,STP160N75F3-H內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號