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STP2016QFPL1A9061

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    STP2016QFPL1A9061

    STP2016QFPL1A9061

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SunMicroSys

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
STP2016QFPL1A9061 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP2016QFPL1A9061 技術參數
  • STP200NF04L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200NF04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):210nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:310W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200NF03 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4950pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP200N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP20NK50Z STP20NM50 STP20NM50FD STP20NM50FP STP20NM60 STP20NM60A STP20NM60FD STP20NM60FP STP20NM65N STP210N75F6 STP21N65M5 STP21N90K5 STP21NM50N STP21NM60N STP21NM60ND STP220N6F7 STP22NF03L STP22NM60N
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