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STP8H100CFP

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    STP8H100CFP

    STP8H100CFP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220F

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  • STP8H100CFP
    STP8H100CFP

    STP8H100CFP

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

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STP8H100CFP 技術(shù)參數(shù)
  • STP85NF55L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4050pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP85NF55 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP80PF55 功能描述:MOSFET P-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:258nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP80NF70 功能描述:MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:68V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:98A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2550pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP8NM50N STP8NM60 STP8NM60D STP8NM60FP STP8NM60N STP8NM60ND STP8NS25 STP8NS25FP STP90N4F3 STP90N55F4 STP90N6F6 STP90NF03L STP95N04 STP95N2LH5 STP95N3LLH6 STP95N4F3 STP9N60M2 STP9N65M2
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