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STS131RA04

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  • STS131RA04
    STS131RA04

    STS131RA04

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9962

  • TE Connectivity

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權分銷商,可追溯原廠可含稅

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
STS131RA04 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 滑動開關 SP3T R/A SLIDE SWITCH
  • RoHS
  • 制造商
  • C&K Components
  • 觸點形式
  • SPDT
  • 開關功能
  • Momentary
  • 觸點額定值
  • 端接類型
  • 執(zhí)行器
  • Extended, Side
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 觸點電鍍
  • Silver
  • 封裝
STS131RA04 技術參數(shù)
  • STS12NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):965pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS12NF30L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS12N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1290pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS11NF30L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1440pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS11N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):724pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60 STS1NK60Z STS1TXQTR STS2 STS20N3LLH6 STS21 STS210101CHIP STS210101L360500G918 STS210101L360500U129 STS220PC STS2300PC STS230PC STS2400PC STS240PC STS250PC
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