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STS5DNF30L

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  • 說明
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  • STS5DNF30L
    STS5DNF30L

    STS5DNF30L

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • ST

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝正品，優(yōu)勢供應

  • STS5DNF30L
    STS5DNF30L

    STS5DNF30L

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • SOP-8

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • STS5DNF30L
    STS5DNF30L

    STS5DNF30L

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  •  

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
STS5DNF30L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
STS5DNF30L 技術參數
  • STS5DNF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4NF100 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4DPFS30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式） 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4DPF30L 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4DPF20L 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS6NF20V STS6P3LLH6 STS6PF30L STS7C4F30L STS7N3LLH6 STS7NF60L STS7P4LLF6 STS7PF30L STS8C5H30L STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG STS8DNF3LL STS8DNH3LL STS8N6LF6AG STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL
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