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STV360B1-S

STV360B1-S
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區(qū)華富路1006號(hào) 航都大廈11樓一層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
21462
ST/意法
TQFP
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

STV360B1-S
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
18530
STM
QFP
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨

STV360B1-S
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
36200
ST
QFP64
18+
-
原裝正品，歡迎訂購(gòu)

STV360B1-S
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
36200
ST
QFP64
18+
-
原裝正品，歡迎訂購(gòu)

STV360B1-S
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
ST
2015
-
質(zhì)量保障假一罰十

STV360B1-S
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
02+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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STV360B1-S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STV360B1-S 技術(shù)參數(shù)

STV300NH02L 功能描述:MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:109nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7055pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:270A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV250N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV240N75F3 功能描述:MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 120A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝:10-PowerSO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02 STV-H11-F/CO-G STVM100DC6F STVM100DS6F STW0101N