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STW-4(TH)

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STW-4(TH) 技術參數(shù)
  • STW3N170 功能描述:N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 零件狀態(tài):有效 標準包裝:30 STW3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 歐姆 @ 1.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW38NB20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3800pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):95 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW4102IQT STW42N60M2-EP STW42N65M5 STW43N60DM2 STW43NM50N STW43NM60N STW43NM60ND STW45N60DM2AG STW45N65M5 STW45NM50 STW45NM50FD STW45NM60 STW46NF30 STW47NM60ND STW48N60DM2 STW48N60M2 STW48N60M2-4 STW48NM60N
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