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STW240NF55

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  • STW240NF55
    STW240NF55

    STW240NF55

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 市場最低面議

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STW240NF55
    STW240NF55

    STW240NF55

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠原裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
STW240NF55 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET N-CH 55V 120A 3PIN TO-247 - Rail/Tube
STW240NF55 技術(shù)參數(shù)
  • STW23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW23NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 9.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1330pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW23N85K5 功能描述:MOSFET N-CH 850V 19A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):850V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):275 毫歐 @ 9.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1650pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW23N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):280 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW25NM60N STW25NM60ND STW26N60M2 STW26NM50 STW26NM60 STW26NM60N STW26NM60ND STW27N60M2-EP STW27NM60ND STW28N60DM2 STW28N60M2 STW28N65M2 STW28NK60Z STW28NM50N STW28NM60ND STW29NK50Z STW29NK50ZD STW3040
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