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STW4811NBRA/LF

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • STW4811NBRA/LF
    STW4811NBRA/LF

    STW4811NBRA/LF

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售部：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 369

  • 23+

  • -

  • 真實的資源竭誠服務您！

  • STW4811NBRA/LF
    STW4811NBRA/LF

    STW4811NBRA/LF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 品牌IC供應商 電話010-621049...

  • STW4811NBRA/LF
    STW4811NBRA/LF

    STW4811NBRA/LF

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • ST-Ericsson Inc

  • 原裝

  • 12+

  • -

  • 授權分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
STW4811NBRA/LF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC PMU USB OTG 2.0 84VFBGA
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> PMIC - 電源管理 - 專用
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 應用
  • 手持/移動設備
  • 電流 - 電源
  • -
  • 電源電壓
  • 3 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 14-WFDFN 裸露焊盤
  • 供應商設備封裝
  • 14-LLP-EP（4x4）
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 配用
  • LP3905SD-30EV-ND - BOARD EVALUATION LP3905SD-30
  • 其它名稱
  • LP3905SD-30DKR
STW4811NBRA/LF 技術參數(shù)
  • STW47NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 50V 功率 - 最大值:255W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW46NF30 功能描述:MOSFET N-CH 300V 42A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW45NM60 功能描述:MOSFET N-CH 650V 45A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:134nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW45NM50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3600pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW45NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW54NK30Z STW54NM65ND STW55NM50N STW55NM60N STW55NM60ND STW5630/JDR18BDR STW56N60DM2 STW56N60M2 STW56N60M2-4 STW56N65DM2 STW56N65M2 STW56N65M2-4 STW56NM60N STW57N65M5 STW57N65M5-4 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z
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