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STW5093JS

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    STW5093JS

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST/意法

  • TSSOP

  • 23+

  • -
  • 百分百進(jìn)口原裝環(huán)保整盤

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
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STW5093JS 技術(shù)參數(shù)
  • STW5093CYLT 功能描述:接口—CODEC 14-Bit Linear CODEC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 類型: 分辨率: 轉(zhuǎn)換速率:48 kSPs 接口類型:I2C ADC 數(shù)量:2 DAC 數(shù)量:4 工作電源電壓:1.8 V, 2.1 V, 2.3 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-81 封裝:Reel STW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW48NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):44A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):124nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4285pF @ 50V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW48N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3060pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW48N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3060pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N60DM2 STW56N60M2 STW56N60M2-4 STW56N65DM2 STW56N65M2 STW56N65M2-4 STW56NM60N STW57N65M5 STW57N65M5-4 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG
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