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T63YB-200K

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

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T63YB-200K 技術(shù)參數(shù)
  • T635T-8T 功能描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:Snubberless?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 三端雙向可控硅類型:可控硅 - 無緩沖器 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)(It(RMS))(最大值):6A 電壓 - 柵極觸發(fā)(Vgt)(最大值):1.3V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50,60Hz(Itsm):45A,47A 電流 - 柵極觸發(fā)(Igt)(最大值):35mA 電流 - 保持(Ih)(最大值):40mA 配置:單一 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 T635T-8FP 功能描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V TO220FPAB 制造商:stmicroelectronics 系列:Snubberless?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 三端雙向可控硅類型:可控硅 - 無緩沖器 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)(It(RMS))(最大值):6A 電壓 - 柵極觸發(fā)(Vgt)(最大值):1.3V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50,60Hz(Itsm):45A,47A 電流 - 柵極觸發(fā)(Igt)(最大值):35mA 電流 - 保持(Ih)(最大值):40mA 配置:單一 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FPAB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 T630-800W 功能描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V ISOWATT 制造商:stmicroelectronics 系列:Snubberless?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 三端雙向可控硅類型:可控硅 - 無緩沖器 電壓 - 斷態(tài):800V 電流 - 通態(tài)(It(RMS))(最大值):6A 電壓 - 柵極觸發(fā)(Vgt)(最大值):1.3V 電流 - 不重復(fù)浪涌 50,60Hz(Itsm):80A,84A 電流 - 柵極觸發(fā)(Igt)(最大值):30mA 電流 - 保持(Ih)(最大值):50mA 配置:單一 安裝類型:通孔 封裝/外殼:ISOWATT220AB-3 供應(yīng)商器件封裝:ISOWATT220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 T63/38/25-3E6 功能描述:FERRITE CORES ROUND 制造商:ferroxcube 系列:* 零件狀態(tài):在售 內(nèi)核類型:磁環(huán) 容差:- 間隙:- 表面:無涂層 高度:25.00mm 長度:- 寬度:- 直徑:63.00mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:32 T63/38/25-3E27-M7 功能描述:FERRITE CORES ROUND 制造商:ferroxcube 系列:* 零件狀態(tài):在售 內(nèi)核類型:磁環(huán) 容差:±25% 間隙:無缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):7000 材料:3E27 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:0.497 有效長度(e) mm:152 有效面積(Ae)mm2:306 有效磁體體積(Ve) mm3:46500 表面:無涂層 高度:25.00mm 長度:- 寬度:- 直徑:63.00mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:32 T640N16TOFXPSA1 T640N18TOFXPSA1 T6482 001 T6483 001 T656N T660N22TOFXPSA1 T660N24TOFXPSA1 T660N26TOFXPSA1 T6613 T6613-5K T6613-5KC T6613-5KF T6613-C T6613-EVAL T6613-F T6613-R12 T6615 T6615-10K
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