TSC5304EDCP RO

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封裝
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功能描述
兩極晶體管 - BJT High voltage NPN Transistor w/diode
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

TSC5304EDCP RO 技術(shù)參數(shù)

TSC428MJA/883B 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube TSC428EPA 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube TSC428CBA+T 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube TSC428CBA+ 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube TSC427MJA/883B 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Dual-Power MOSFET Driver RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube TSC80251G2D-16CBR TSC80251G2D-24CB TSC80251G2D-24CE TSC80251G2D-24IA TSC80251G2D-24IB TSC80251G2D-24IBR TSC80251G2D-L16CB TSC80251G2D-L16CBR TSC80251G2D-L16CE TSC80251G2D-L16CER TSC87251G2D-16CB TSC87251G2D-16CBR TSC87251G2D-24CB TSC87251G2D-24CE TSC87251G2D-24IA TSC87251G2D-24IB TSC87251G2D-24IBR TSC87251G2D-24IC