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TSI106G-66JBTR

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  • TSI106G-66JBTR
    TSI106G-66JBTR

    TSI106G-66JBTR

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 69200

  • FREESCALE

  • CBGA304

  • 18+

  • -

  • 全新原裝，優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • TSI106G-66JBTR
    TSI106G-66JBTR

    TSI106G-66JBTR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • FREESCALE

  • CBGA304

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
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TSI106G-66JBTR 技術(shù)參數(shù)
  • TSHG8400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 830nm 1.5V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):830nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:44° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 TSHG8200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 830nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):830nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 TSHG6400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:44° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 TSHG6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 TSHF5410 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外（IR） 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):890nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 視角:44° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 TSI109-200IL TSI109-200ILY TSI10H100CW C0G TSI10H120CW C0G TSI10H150CW C0G TSI10H200CW C0G TSI10L200CW C0G TSI110-167CL TSI110-167CLY TSI148-133CL TSI148-133CLY TSI148-133IL TSI148-133ILY TSI20H100CW C0G TSI20H120CW C0G TSI20H150CW C0G TSI20H200CW C0G TSI220B1RL
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