VND7N0413TR-PB

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " VND7N0413TR-PB " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： VND7N04-1-E VND7N04-E VND7N04TR-E VND7NV04 VND7NV04-1 VND7NV0413TR VND7NV04-1-E VND7NV04-E VND7NV04TR-E

VND7N0413TR-PB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

VND7N0413TR-PB 技術(shù)參數(shù)

VND7N0413TR 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N04-1 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7140AJTR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16 VND7140AJTR 功能描述:IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSSO16 制造商:stmicroelectronics 系列:VIPower?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效開關(guān)類型:通用輸出數(shù):2 比率 - 輸入:輸出:1:1 輸出配置:高端輸出類型:N 通道接口:開/關(guān) 電壓 - 負載:4 V ~ 28 V 電壓 - 電源（Vcc/Vdd）:不需要電流 - 輸出（最大值）:8A 導(dǎo)通電阻（典型值）:140 毫歐輸入類型:非反相特性:自動重啟，狀態(tài)標(biāo)志故障保護:限流（固定），開路負載檢測，超溫，過壓，UVLO 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）封裝/外殼:16-PowerLFSOP（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PowerSSO-16 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VND810 VND81013TR VND810-E VND810MSP VND810MSP13TR VND810MSP-E VND810MSPTR-E VND810PEP-E VND810PEPTR-E VND810PTR-E VND810SP VND810SP13TR VND810SP-E VND810SPTR-E VND810TR-E VND830 VND83013TR VND830AEP-E