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ZXMN0545FF

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    ZXMN0545FFTA

    ZXMN0545FFTA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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ZXMN0545FF 技術(shù)參數(shù)
  • ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 基本零件編號(hào):ZXMHC10A07T8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:8-MLP（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN10A08GTA ZXMN10A09KTC ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTC ZXMN10A11K ZXMN10A11KTC ZXMN10A25GTA ZXMN10A25K ZXMN10A25KTC ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TC ZXMN15A27KTC ZXMN2069FTA ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA
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