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ZXMN10A08E6TC

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • ZXMN10A08E6TC
    ZXMN10A08E6TC

    ZXMN10A08E6TC

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺(tái)

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • ZXMN10A08E6TC
    ZXMN10A08E6TC

    ZXMN10A08E6TC

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ZETEX

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • ZXMN10A08E6TC
    ZXMN10A08E6TC

    ZXMN10A08E6TC

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • Diodes

  • SOT-23-6

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

  • ZXMN10A08E6TC
    ZXMN10A08E6TC

    ZXMN10A08E6TC

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 50000

  • ZETEX

  • SOT-23-6

  • 1148+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • ZXMN10A08E6TC
    ZXMN10A08E6TC

    ZXMN10A08E6TC

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • ZXMN10A08E6TC
    ZXMN10A08E6TC

    ZXMN10A08E6TC

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
ZXMN10A08E6TC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 100V N-Chnl UMOS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ZXMN10A08E6TC 技術(shù)參數(shù)
  • ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 基本零件編號:ZXMHC10A07T8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-MLP（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TC ZXMN15A27KTC ZXMN2069FTA ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTC ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TC ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA
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