ZXMN10A11GFTA

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ZXMN10A11GFTA
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ZETEX/DIODES
SOT-223
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

ZXMN10A11GFTA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ZETEX
06+/07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
ZETEX
制造商全稱
ZETEX
功能描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXMN10A11GFTA 技術(shù)參數(shù)

ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 標準包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應(yīng)商器件封裝:SM8 基本零件編號:ZXMHC10A07T8 標準包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-MLP（3x3）標準包裝:1 ZXMN15A27KTC ZXMN2069FTA ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTC ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TC ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA