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ZXMP64P035GTA

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • ZETEX/DIODES

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人:唐先生

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ZXMP64P035GTA 技術(shù)參數(shù)
  • ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):472pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 11A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:* 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17GQTA ZXMP6A17GTA ZXMP6A17KTC ZXMP6A17N8TC ZXMP6A18DN8TA ZXMP6A18KTC ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GTA ZXMP7A17KQTC ZXMP7A17KTC ZXMS6001N3TA ZXMS6002GQTA ZXMS6002GTA ZXMS6003GTA ZXMS6004DGTA
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