1N5238

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制造商
NJSEMI
制造商全稱
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
SILICON 500mW ZENER DIODES

1N5238 技術參數

1N5237TA 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5237C-TR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5237C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5237BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5237B-TR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5238B-T 1N5238BTA 1N5238B-TAP 1N5238B-TP 1N5238BTR 1N5238B-TR 1N5238BUR-1 1N5238C-TAP 1N5238C-TR 1N5238TA 1N5239A 1N5239A (DO-35) 1N5239B 1N5239B (DO-35) 1N5239B A0G 1N5239B BK 1N5239B TR 1N5239B_S00Z