1N5364BRL

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 33V 5W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5364BRL 技術(shù)參數(shù)

1N5364BG 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1,000 1N5364BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5364BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5364BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5364B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5364E3/TR8 1N5365/TR12 1N5365/TR8 1N5365A/TR12 1N5365A/TR8 1N5365AE3/TR12 1N5365AE3/TR13 1N5365AE3/TR8 1N5365B 1N5365B/TR12 1N5365B/TR8 1N5365BE3/TR12 1N5365BE3/TR13 1N5365BE3/TR8 1N5365BG 1N5365BRL 1N5365BRLG 1N5365B-TP