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1N5809

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case E
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 100V 6A 2PIN E - Bulk
  • 制造商
  • Semtech Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case G-112
1N5809 技術參數(shù)
  • 1N5808 功能描述:DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 1N5807US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5807 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5806USE3/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5806USE3 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816 1N5816R 1N5817 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B
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