1N755A

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 7.5V .5W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N755A 技術(shù)參數(shù)

1N754AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N754ATR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N754A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N754A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N754A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N756A BK 1N756A TR 1N756A_S00Z 1N756A_T50A 1N756A_T50R 1N756A-1 1N756ATR 1N756AUR-1 1N757A 1N757A BK 1N757A TR 1N757A_S00Z 1N757A_T50A 1N757A_T50R 1N757A-1 1N757ATR 1N757AUR-1 1N758A