2SD2150 T100R

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2SD2150 T100R 技術(shù)參數(shù)

2SD2144STPW 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1200 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:2,000 2SD2144STPV 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT/SC-72 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SD2144STPU 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SD2143TL 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD2142KT146 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2177A0A 2SD21780RA 2SD21780SA 2SD21790RA 2SD21840RA 2SD21850RL 2SD2185GRL 2SD2195T100 2SD2206(T6CANO,F,M 2SD2206(T6CNO,A,F) 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL 2SD2211T100Q 2SD2211T100R 2SD2212T100 2SD2216G0L