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2SK302-GR

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2SK302-GR 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK302500L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1200pF @ 10V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:U-G2 供應(yīng)商器件封裝:U-DL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK302200L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):220pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:U-G2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3019TL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:EMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):200mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318
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