AO4302

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AO4302 技術參數(shù)

AO4296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3130pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 13.5A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4294 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2420pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4292E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 AO4292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4290A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4525pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 15.5A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:2,500 AO4403L AO4404B AO4404BL AO4404BL_101 AO4405E AO4405L AO4406 AO4406A AO4407A AO4407B AO4407BL AO4407L AO4409 AO4411 AO4411L AO4413 AO4413L AO4415