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AOB11S65

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱(chēng)
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • 650V 11A a MOS Power Transistor
AOB11S65 技術(shù)參數(shù)
  • AOB11S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):399 毫歐 @ 3.8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:178W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB11N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1990pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB11C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2000pF @ 100V 功率 - 最大值:278W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB11C60 功能描述:MOSFET N-CH TO-263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):440 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2000pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB1100L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Ta),130A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4833pF @ 25V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L AOB210L AOB240L AOB2500L AOB2502L AOB254L AOB256L AOB25S65L AOB2606L AOB2608L AOB260L
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