AOD4184A

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOD4184A 技術(shù)參數(shù)

AOD4182 功能描述:MOSFET N-CH 80V 53A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2005pF @ 40V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD4180 功能描述:MOSFET N-CH 80V 54A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta），54A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2410pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Ta），36A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD417 功能描述:MOSFET P-CH 30V 25A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD4162 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1187pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD421 AOD421_001 AOD423 AOD424 AOD425 AOD425_001 AOD4286 AOD442 AOD444 AOD4454 AOD446 AOD446_001 AOD450 AOD4504 AOD452 AOD452AL_008 AOD454A AOD456