AOI409

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功能描述
MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOI409 技術(shù)參數(shù)

AOI403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI2N60A 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI296A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3130pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:89W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI294A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2305pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:73W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI4286 AOI442 AOI444 AOI452A AOI468 AOI472A AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516 AOI516_001