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AON6442

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 65A 8-Pin DFN EP
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 22A DFN5X6
AON6442 技術(shù)參數(shù)
  • AON6435 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta),34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6428L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):770pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6428_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):770pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6426 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6424A 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),41A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標準包裝:3,000 AON6482 AON6484 AON6500 AON6500_001 AON6502 AON6504 AON6504_001 AON6506 AON6508 AON6508_101 AON6510 AON6512 AON6514 AON6516 AON6516_151 AON6518 AON6520 AON6522
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