AOTF12N60

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOTF12N60 技術(shù)參數(shù)

AOTF12N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1633pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF12N30 功能描述:MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:790pF @ 25V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF11S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:399 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:646pF @ 100V 功率 - 最大值:31W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF11S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:399 毫歐 @ 3.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:399 毫歐 @ 3.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOTF12T60P AOTF12T60PL AOTF13N50 AOTF14N50 AOTF14N50FD AOTF15B60D AOTF15B60D2 AOTF15B65M1 AOTF15B65M2 AOTF15S60L AOTF15S65L AOTF16N50 AOTF18N65 AOTF18N65L AOTF190A60L AOTF20B65M1 AOTF20B65M2 AOTF20C60