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AUIRFS4310Z

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFS4310Z 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFS4310TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFS4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFS4127TRL 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101,HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 44A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:* 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(TO-263AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFS4127 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101,HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 44A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:* 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(TO-263AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFS4115TRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):99A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):12.1 毫歐 @ 62A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFS8407 AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7TRL AUIRFS8407TRL AUIRFS8408 AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8409 AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405
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