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BD649

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BD649 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 達林頓晶體管 62.5W NPN Silicon
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 最大直流電集電極電流
  • 0.5 A
  • 最大集電極截止電流
  • 功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-18
  • 封裝
  • Reel
BD649 技術參數(shù)
  • BD648-S 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO220 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 50mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BD647-S 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 50mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BD646-S 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 50mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BD645-S 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 50mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 3A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BD64550EFV-E2 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:System Driver for Ink Jet Printers BD6520F-E2 BD6522F-E2 BD6524HFV-TR BD6528HFV-TR BD6529GUL-E2 BD652-S BD6538G-LBTR BD6538G-TR BD65491FV-E2 BD65492MUV-E2 BD65494MUV-E2 BD65496MUV-E2 BD65499MUV-E2 BD6550G-TR BD6551G-TR BD6562FV-LBE2 BD6563FV-LBE2 BD6581GU-E2
配單專家

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