BSL806N

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor

BSL806N 技術(shù)參數(shù)

BSL802SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL802SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7.5A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL716SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL606SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL373SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 218μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP-6-1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120