BSO615C

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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制造商
INFINEON
制造商全稱(chēng)
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSO615C 技術(shù)參數(shù)

BSO613SPVGHUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.44A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.44A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO613SPV G 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.44A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.44A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO613SPV 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.44A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3.44A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:875pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO612CVGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO612CV 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1