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BSP030

配單專家企業(yè)名單
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BSP030 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP030 技術(shù)參數(shù)
  • BSP 60 E6433 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP 52 E6327 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP 51 E6327 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO615NGHUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 2.6A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO615N G 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 2.6A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1
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