BSP322P

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封裝
批號
價格
說明
操作

BSP322P
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯(lián)系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
20000
v
tel82538777
16+
-
原裝現(xiàn)貨

BSP322PH6327XTSA1
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
1000
INFINEON
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

BSP322PH6327XTSA1
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
1000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.2065 USD,szpoweric...

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP322P 技術參數(shù)

BSP321PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:980mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 980mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 380μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:319pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP321PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:980mA（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 980mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 380μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:319pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP320SL6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP320SL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP320SH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:4,000 BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K BSP3-480-20KA BSP3-480-20KA-TN BSP3-480-LC BSP372 E6327 BSP372L6327HTSA1 BSP372NH6327XTSA1 BSP373 E6327 BSP373L6327HTSA1 BSP373NH6327XTSA1 BSP41,115 BSP43,115 BSP452 E6327 BSP452HUMA1