BUK78150-55

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

3/3頁 40條/頁共86條
上一頁 1 2 3

您是不是要找： BUK78150-55A,115 BUK78150-55A,135 BUK78150-55A/CUF BUK78150-55A/CUX BUK7880-55,135 BUK7880-55/CUF BUK7880-55A,115 BUK7880-55A/CUX BUK7905-40AI,127

BUK78150-55 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK78150-55 PDF下載

制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
TrenchMOS transistor Standard level FET

BUK78150-55 技術參數(shù)

BUK769R6-80E,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:59.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4682pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:182W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK768R3-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2920pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:137W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK768R1-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1730pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK768R1-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:108nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7380pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK7675-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20.3A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:483pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK7905-40AIE,127 BUK7905-40ATE,127 BUK7907-40ATC,127 BUK7907-55AIE,127 BUK7907-55ATE,127 BUK7908-40AIE,127 BUK7909-75AIE,127 BUK7909-75ATE,127 BUK794R1-40BT,127 BUK7C06-40AITE,118 BUK7C08-55AITE,118 BUK7C10-75AITE,118 BUK7C1R2-40EJ BUK7C1R4-40EJ BUK7C1R8-60EJ BUK7C2R2-60EJ BUK7C3R1-80EJ BUK7C3R8-80EJ