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BUK7905-40AIE

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
BUK7905-40AIE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET TRENCHPLUS MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BUK7905-40AIE 技術(shù)參數(shù)
  • BUK7905-40AI,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:電流感測 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):127nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5000pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BUK7880-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7880-55A,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK7880-55,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BUK7C06-40AITE,118 BUK7C08-55AITE,118 BUK7C10-75AITE,118 BUK7C1R2-40EJ BUK7C1R4-40EJ BUK7C1R8-60EJ BUK7C2R2-60EJ BUK7C3R1-80EJ BUK7C3R8-80EJ BUK7C4R5-100EJ BUK7C5R4-100EJ BUK7D25-40EX BUK7E04-40A,127 BUK7E07-55B,127 BUK7E11-55B,127 BUK7E13-60E,127 BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R8-40E,127
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