DS1230Y-120

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功能描述
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
數(shù)據(jù)總線寬度
8 bit
存儲容量
1024 Kbit
組織
128 K x 8
接口類型
Parallel
訪問時間
70 ns
電源電壓-最大
5.5 V
電源電壓-最小
4.5 V
工作電流
85 mA
最大工作溫度
+ 70 C
最小工作溫度
0 C
封裝 / 箱體
EDIP
封裝
Tube

DS1230Y-120 技術參數(shù)

DS1230Y-100+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-100 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230WP-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230WP-150 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230WP-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1230Y-70 DS1230Y-70+ DS1230Y-70IND DS1230Y-70IND+ DS1230Y-85 DS1230Y-85+ DS1230YP-100 DS1230YP-100+ DS1230YP-70 DS1230YP-70+ DS1230YP-70IND DS1230YP-70IND+ DS1231-20 DS1231-20/G DS1231-20+ DS1231-20N DS1231-20N+ DS1231-35