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HIP6602BCB-T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
HIP6602BCB-T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IC DRIVER MOSFET QUAD 14-SOIC
  • RoHS
  • 否
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
  • 系列
  • -
  • 配置
  • 低端
  • 輸入類型
  • 非反相
  • 延遲時(shí)間
  • 40ns
  • 電流 - 峰
  • 9A
  • 配置數(shù)
  • 1
  • 輸出數(shù)
  • 1
  • 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）
  • -
  • 電源電壓
  • 4.5 V ~ 35 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-263
  • 包裝
  • 管件
HIP6602BCB-T 技術(shù)參數(shù)
  • HIP6602BCB 功能描述:IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6601BECBZ-T 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZA-T 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZA 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZ 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6603BCB-T HIP6603BCBZ HIP6603BCBZ-T HIP6603BECB HIP6603BECB-T HIP6603BECBZ HIP6603BECBZ-T HIP6604BCR HIP6604BCR-T HIP6604BCRZ HIP6604BCRZ-T HIP9011AB HIP9011ABT HIP9011ABZ HIP9011ABZT HIP9011EVAL1Z HIR11-21C/L11/TR8 HIR16-213C/L423/TR8
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