IXDN609SI

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功能描述
IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
標準包裝
95
系列
-
配置
高端和低端，獨立
輸入類型
非反相
延遲時間
160ns
電流 - 峰
290mA
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
600V
電源電壓
10 V ~ 20 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOIC
包裝
管件
產(chǎn)品目錄頁面
1381 (CN2011-ZH PDF)

IXDN609SI 技術(shù)參數(shù)

IXDN609PI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IXDN609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5 RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 IXDN604SITR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN604SIATR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN604SIA 功能描述:功率驅(qū)動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDN630CI IXDN630MCI IXDN630MYI IXDN630YI IXDN75N120 IXDP20N60B IXDP20N60BD1 IXDP35N60B IXDP610PI IXDP630PI IXDP631PI IXDR30N120 IXDR30N120D1 IXDR35N60BD1 IXDR502D1B IXDS430SI IXDS502D1B IXDT30N120