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M29W256GH70ZA6E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 功能描述
  • IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲器
  • 系列
  • Axcell™
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,000
  • 系列
  • MoBL®
  • 格式 - 存儲器
  • RAM
  • 存儲器類型
  • SRAM - 異步
  • 存儲容量
  • 16M(2M x 8,1M x 16)
  • 速度
  • 45ns
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼
  • 48-VFBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 48-VFBGA(6x8)
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
M29W256GH70ZA6E 技術(shù)參數(shù)
  • M29W256GH70N6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 M29W256GH70N6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) M29W256GH70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP M29W200BT70N6E 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 M29W200BT55N1 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W256GH7AZS6F TR M29W256GL70N6E M29W256GL70N6F M29W256GL70N6F TR M29W256GL70ZA6E M29W256GL70ZA6F M29W256GL70ZA6F TR M29W256GL70ZS6E M29W256GL70ZS6F M29W256GL70ZS6F TR M29W256GL7AN6E M29W256GL7AN6F TR M29W256GL7AZA6E M29W256GL7AZS6E M29W256GL7AZS6F TR M29W256GSH70ZS6E M29W256GSH70ZS6F M29W256GSH70ZS6F TR
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