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M29W640GH70NA6

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M29W640GH70NA6 技術(shù)參數(shù)
  • M29W640GB90NA6E 功能描述:IC FLASH 64MB 3V 90NS BB 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M29W640GB7AN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 48TSOP 制造商:STMicroelectronics 功能描述: M29W640GB70ZS6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64FBGA M29W640GB70ZS6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64MBIT PARALLEL NOR FLASH 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64FBGA M29W640GB70ZF6E 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 M29W640GH70ZS6F TR M29W640GH7ANB6E M29W640GL70NA6E M29W640GL70NA6F TR M29W640GL70NB6E M29W640GL70NB6F M29W640GL70NB6F TR M29W640GL70ZA6E M29W640GL70ZF3E M29W640GL70ZF3F TR M29W640GL70ZF6E M29W640GL70ZF6F TR M29W640GL70ZS6E M29W640GL70ZS6F TR M29W640GL7ANB6F TR M29W640GL7AZF6E M29W640GSB70ZF6E M29W640GSH70ZF6E
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