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MT46V32M16BN-6 IT

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MT46V32M16BN-6 IT 技術(shù)參數(shù)
  • MT46V32M16BN-5B:F TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT46V32M16BN-5B:F 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) MT46V32M16BN-5B:C TR 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 MT46V32M16BN-5B:C 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 MT46V32M16BN-5B L IT:F 功能描述:IC SDRAM 512MB 200MHZ 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤 MT46V32M16BN-75:C MT46V32M16BN-75:C TR MT46V32M16CV-5B IT:J MT46V32M16CV-5B IT:J TR MT46V32M16CV-5B:J MT46V32M16CV-5B:J TR MT46V32M16CY-5B AAT:J MT46V32M16CY-5B AAT:J TR MT46V32M16CY-5B AIT:J MT46V32M16CY-5B AIT:J TR MT46V32M16CY-5B IT:J MT46V32M16CY-5B IT:J TR MT46V32M16CY-5B L IT:J MT46V32M16CY-5B:J MT46V32M16CY-5B:J TR MT46V32M16FN-5B:C MT46V32M16FN-5B:C TR MT46V32M16FN-5B:F
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