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MT47H128M8HQ

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    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

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MT47H128M8HQ 技術(shù)參數(shù)
  • MT47H128M8CF-3:H TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H128M8CF-3:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 MT47H128M8CF-3 L:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) MT47H128M8CF-3 IT:H TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H128M8CF-3 IT:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) MT47H128M8JN-3:H MT47H128M8SH-187E:M MT47H128M8SH-25E AAT:M MT47H128M8SH-25E AIT:M MT47H128M8SH-25E IT:M MT47H128M8SH-25E:M MT47H16M16BG-3 IT:B TR MT47H16M16BG-3:B TR MT47H16M16BG-37E:B TR MT47H16M16BG-37V:B MT47H16M16BG-3E:B MT47H16M16BG-5E:B MT47H16M16BG-5E:B TR MT47H1G4WTR-25E:C MT47H1G4WTR-25E:C TR MT47H256M4B7-37E:A MT47H256M4B7-37E:A TR MT47H256M4B7-5E:A
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