MT47H256M8

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制造商
MICRON
制造商全稱
Micron Technology
功能描述
DDR2 SDRAM MT47H512M4 a?? 64 Meg x 4 x 8 banks MT47H256M8 a?? 32 Meg x 8 x 8 banks MT47H128M16 a?? 16 Meg x 16 x 8 banks

MT47H256M8 技術(shù)參數(shù)

MT47H256M4HQ-5E:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 5NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) MT47H256M4HQ-3:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT47H256M4HQ-187E:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT47H256M4CF-3:H TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX4 DDR2 SDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.8V - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA MT47H256M4CF-3:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT47H256M8EB-25E:C TR MT47H256M8THN-25E IT:H MT47H256M8THN-25E:H MT47H256M8THN-25E:H TR MT47H256M8THN-25E:M MT47H256M8THN-25E:M TR MT47H256M8THN-3 IT:H MT47H256M8THN-3:H MT47H256M8THN-3:H TR MT47H32M16BN-25:D TR MT47H32M16BN-25E IT:D TR MT47H32M16BN-25E:D TR MT47H32M16BN-3 IT:D TR MT47H32M16BN-3:D TR MT47H32M16BN-37E IT:D TR MT47H32M16BN-37E:D TR MT47H32M16BN-5E IT:D TR MT47H32M16BN-5E:D TR