MT47H64M16HW-3IT

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制造商
MICRON
制造商全稱
Micron Technology
功能描述
DDR2 SDRAM

MT47H64M16HW-3IT 技術(shù)參數(shù)

MT47H64M16HW-3:H 功能描述:IC DDR2 SDEAM 1GB 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT47H64M16HW-3 IT:H 功能描述:IC DDR2 SDEAM 1GB 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:9M（256K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14）包裝:托盤其它名稱:71V67703S75PFGI MT47H64M16HR-3:H TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 MT47H64M16HR-3:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 MT47H64M16HR-3:G TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) MT47H64M4BP-37E:B TR MT47H64M8B6-25:D TR MT47H64M8B6-25E IT:D TR MT47H64M8B6-25E L:D TR MT47H64M8B6-25E:D TR MT47H64M8B6-3 IT:D TR MT47H64M8B6-3:D TR MT47H64M8B6-37E IT:D TR MT47H64M8B6-37E:D TR MT47H64M8B6-5E IT:D TR MT47H64M8B6-5E:D TR MT47H64M8CB-25:B MT47H64M8CB-25:B TR MT47H64M8CB-3:B MT47H64M8CB-3:B TR MT47H64M8CB-37E IT:B MT47H64M8CB-37E IT:B TR MT47H64M8CB-37E:B